公司在近期调研中释放的产品进展，试图为扩产提供支撑：700V高压BCD产品工程阶段取得重大突破，计划2026年释放产能；与芯微泰克合作的1200V背道激光退火超薄片IGBT进入工程批试样。技术突破与扩产规划形成对应，看似具备落地基础，但产能释放与市场需求、客户验证之间的时间差，仍然具备不确定性。
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然而，随着数据量的爆发增长，DRAM及NAND在耗电量及数据访问速度上依旧无法跟上需求的脚步。他们在需要高速运算的应用场景中也有一些阻碍。
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